《表2 在电导液2中不同电压下产生信号的幅值高斯拟合值、持续时间指数衰减拟合值》
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《固态纳米孔上端粒序列的共价修饰与G-四联体折叠监测》
实验探究了G-四联体在相同电压下不同离子电导液中的结构性质,在实验过程中发现G-四联体结构的性质和施加的电压也是相关的,所以进一步在电导液2中通过施加不同的电压,探索端粒序列DNA在纳米孔中因为结构的变化而产生的电流信号。实验分别在纳米孔装置的一端施加100 mV、150 mV和200 mV的电压。在使用与上述相同方法对信号进行分析后,得到图7、9、10和表2数据,可以看到在相同离子电导液中,不同电压对端粒序列DNA产生G-四联体结构具有很大的影响,由散点图(图7(a)、9(a)和10(a))可见随着电压的增加,事件数明显增多,表明孔内G-四联体结构在外电场力作用下折叠与解折叠更频繁;事件的电流堵塞信号幅值(图7(b)、9(b)和10(b))随电压增大而增大,符合高电压下产生大的离子电流的趋势;而信号的持续时间分布直方图(图7(c)、9(c)和10(c))表明信号的持续时间明显减小,说明随着电压的升高G-四联体结构的稳定性逐渐降低。
图表编号 | XD00145027700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.06.15 |
作者 | 王森、梁丽媛、唐婧、蔡瑶、翁婷、尹雅洁、王亮、王德强 |
绘制单位 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院、中国科学院大学、中国科学院重庆绿色智能技术研究院、中国科学院大学、中国科学院重庆绿色智能技术研究院、中国科学院大学、中国科学院重庆绿色智能技术研究院、吉林大学仪器科学与电气工程学院、中国科学院重庆绿色智能技术研究院、中国科学院大学、中国科学院重庆绿色智能技术研究院、中国科学院大学、中国科学院重庆绿色智能技术研究院、中国科学院大学、中国科学院重庆绿色智能技术研究院、中国科学院大学 |
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