《表7 1W1D与2W2D工艺结果对比》

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《电子纸的2W2D工艺改善研究》

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我们选用最佳a-Si成膜条件2；电子纸2W2D刻蚀条件，即降低两次湿刻时间并搭配灰化条件4，a-Si处理条件14，a-Si刻蚀时间条件6；钝化层成膜前处理条件3，对3款4次光刻电子纸产品进行了改善验证，与增加残留a-Si处理工艺的1W1D刻蚀及其配套成膜条件的TFT特性与阵列检测良率进行对比，结果如表7所示。两种刻蚀工艺相比，电子纸的2W2D工艺对Ion特性略有提升，对Io ff特性降低明显，使电子纸TFT特性得到了显著提升；同时由于2W2D工艺对aSi拖尾现象和刻蚀均一性改善明显，使得阵列检测良率提升了4%～10%，这也进一步表明本文提出的电子纸2W2D工艺对4次光刻电子纸产品具有普适性，且较单纯增加a-Si处理条件的1W1D方法均有明显的改善效果。