《表1 CDs及CdS NCs@CDs复合物的荧光衰减曲线的双指数拟合》

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《CdS纳米晶@碳点复合物膜的电致化学发光》

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为说明荧光发射过程中CdS纳米晶的荧光被猝灭而CDs的荧光增强，两者之间确实存在快速电荷转移，我们测定了CDs和CdS NCs@CDs复合物（两者CDs浓度一致）的荧光衰减曲线，激发波长同为340 nm（图7，CDs和CdS纳米晶的体积比为2∶3）。对图7中2条荧光衰减曲线用双指数函数进行拟合，结果列于表1。表中，τ1和τ2分别为快慢荧光寿命，Φ1和Φ2分别为τ1和τ2所占权重，可表示为。由图可知，CDs与CdS纳米晶复合后，其快慢荧光寿命（τ1，τ2）均有显著延长，同时伴随着所占权重的变化。这说明CDs与CdS纳米晶之间存在快速电荷转移，且这种转移提高了CDs中电子-空穴对辐射复合的几率。其中，短寿命τ1对应于辐射复合过程，而长寿命τ2对应于非辐射复合过程。