《表2 SiC JBSD DLTS测试条件》

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《重离子辐照1200 V碳化硅二极管漏电退化的缺陷分析》

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辐照前后分别对1#和2#样品进行深能级瞬态谱测试分析。利用西安电子科技大学的深能级瞬态谱仪Semetrol DLTS对辐照缺陷进行测试，分析SiC JBSD的重离子辐照诱生缺陷情况。试验中选取的DLTS测试条件见表2。