《表3 实验样品数据:工艺拉偏的芯片扫描测试方法研究》
由表3的实验数据得知,当芯片频率运行在1.2GHZ时,按照3σ的工艺标准规格设定,及良率达到99%以上[5],基准工艺的芯片电压最低需要1.15V。当NMOS、PMOS工艺偏快2σ时,最低电压为1.025V;当NMOS、PMOS工艺偏慢2σ时,电压需要1.175V;当NMOS快1.5σ、PMOS慢1.5σ时,电压最低需要1.125V;当NMOS慢1.5σ、PMOS快1.5σ时,电压最低需要1.1V。图3为NMOS、PMOS的工艺窗口。
图表编号 | XD00131245400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.03.25 |
作者 | 林良飞 |
绘制单位 | 福建省电子信息应用技术研究院有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |