《表1 性能比较：适用于3D NAND的高稳定度的Capacitor-free LDO》

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《适用于3D NAND的高稳定度的Capacitor-free LDO》

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可以看出仿真结果和表1的推导结果一致。在全负载电流范围内，电路环路增益都在95 dB以上，并且相位裕度都在86°以上。在负载电容为1 nF、空载时，电路因为共轭极点导致“尖峰”出现，利用本文的方法，很好地将尖峰移至0 dB以下，从而保证了电路的稳定。