《表1 800kV超高压MSCR单相结构设计参数》

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《800kV超高压磁饱和可控电抗器的动态特性分析及谐波抑制》

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如图2所示，单相MSCR两组工作绕组同向并联接入母线，三相工作绕组星形联结；同时，为减少铁心磁通对控制绕组的影响，两组控制绕组反向串联后，三相并联接入控制系统；并且，为降低系统谐波，增加三角形联结的三次谐波补偿绕组，补偿绕组通过保护和滤波装置后接入控制系统实现电抗器控制的自取能。