《表3 不同转速下蓝宝石的抛光结果Table 3 Polishing results of the sapphire at different rotate speeds》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《应用于蓝宝石直接键合的减薄抛光工艺》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

表3为不同转速下蓝宝石的抛光结果，表面粗糙度随转速增加而降低，抛光速率随转速增加而增大。抛光过程中，聚氨酯抛光盘与蓝宝石晶片之间会发生相对运动，二者独立绕定轴偏心旋转，蓝宝石晶片转速固定，改变抛光盘转速即可改变二者相对转速。抛光盘转速过低，抛光过程中机械作用速度小于化学反应速度，会导致蓝宝石晶片表面被腐蚀呈现桔皮状，并且抛光速率很低。随着抛光盘转速增大，抛光液分布越来越均匀，晶片表面粗糙度降低，抛光速率提高。但是如果转速过高，抛光液容易被甩到抛光盘的边缘，导致抛光液的浪费，同时使抛光过程中机械作用速度大于化学反应速度，表面损伤层增大，表面粗糙度增大。由于本实验所采用抛光设备在设计时就考虑到过高转速对抛光效果的影响，因此70 r/min为其最大转速。