《表1 Dy VO4晶体和TGG晶体在不同波长下吸收系数的对比》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《钒酸镝晶体生长和磁光性能研究》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

从图4中可以看出，DyVO4晶体在500～700 nm很高的透过率，达到76%～79%。在忽略反射光损失的情况下，晶体的吸收系数可以表示为:α=1/L×ln（I0/I），其中是L光经过晶体的长度，I0为入射光强度，I为透射强度。Lambda 900测得的是光的透过率T=I/I0×100%，因此系数系数可以表示为α=1/L×ln（1/T），根据透过率谱图，可以算出DyVO4晶体的如图4中的吸收曲线，其中吸收峰表示电子从基态能级向对应高能级的跃迁。表1对比了DyVO4晶体和商用TGG晶体在几个特殊波长条件下的吸收系数[8]，该晶体在532 nm和633 nm处的吸收系数均低于TGG晶体，在1064 nm存在比较强的吸收，是对应电子6H15/2→6F7/2跃迁。