《表1 试验设计与实测结果》

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《脉冲电场促进黑曲霉生长提高产酶活性》

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依据脉冲仪器性能、菌液承受能力和前期试验研究结果选择脉冲参数和参数范围。采用三因素五水平中心组合设计（central composite experimental design，CCD）确立脉冲强度（5～15 kV/cm）、脉冲持续时间（10～100μs）和脉冲数（50～99)3个脉冲参数组合，以黑曲霉菌丝干质量和产糖化酶活性为主要响应指标，研究这些指标在不同脉冲参数下的变化规律，优化脉冲工艺。各变量的编码值和实际值如表1。