《表2 Cu单晶微柱离散位错动力学模拟的材料参数》
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《位错密度梯度结构Cu单晶微柱压缩的三维离散位错动力学模拟》
对于单晶Cu，C11=168.4 GPa、C12=121.4 GPa、C44=75.4 GPa，可得Cu的剪切模量为54.6 GPa、Poisson比为0.324。fcc结构Cu单晶微柱压缩模拟的其它材料参数见表2。
| 图表编号 | XD00107227500 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.11.11 |
| 作者 | 熊健、魏德安、陆宋江、阚前华、康国政、张旭 |
| 绘制单位 | 西南交通大学力学与工程学院应用力学与结构安全四川省重点实验室、西南交通大学力学与工程学院应用力学与结构安全四川省重点实验室、西南交通大学力学与工程学院应用力学与结构安全四川省重点实验室、西南交通大学力学与工程学院应用力学与结构安全四川省重点实验室、西南交通大学力学与工程学院应用力学与结构安全四川省重点实验室、西南交通大学力学与工程学院应用力学与结构安全四川省重点实验室、西安交通大学机械结构强度与振动国家重点实验室 |
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