《表8 DRB数据分析（优化4试验）》

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《一种低K工艺产品分层问题的解决方案》

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在预计芯片受影响温度<200℃，持续时间为10ms量级的应力条件下，表8显示了通过优化4试验的DRB(Data retention of bake高温数据保持）测试结果和评估值的比对。从中看出，经评估DRB寿命损耗量级在可接受范围。