《表3 半导体桥塞样品爆发时间和爆发能量（22μF/16 V)》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《瞬态电压抑制二极管对半导体桥换能元电爆特性影响的模拟》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

图7a中，5条电压和电流曲线在半导体桥爆发前的阶段基本重合，但是在爆发点前后会出现较大差异且并不呈现特定规律变化。从图7b中可以看出，5条R?E曲线的阻抗正温升和阻抗负温升阶段基本重合，差异主要出现在熔化的后半程和汽化产生等离子体两个阶段。这源于半导体桥本身的差异，在半导体材料加工过程中，即使工艺控制很严格，但是每个换能元芯片的掺杂浓度等性质仍存在差异，也就造成电爆曲线的差异。读取五发半导体桥塞样品的爆发时间和爆发能量，如表3所示。