《表1 GaAs衬底与InGaAs薄膜的晶格常数、弹性系数与错配应变》

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《相场法模拟GaAs衬底上InGaAs异质结表面形貌》

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在模拟中，GaAs和InAs材料的弹性系数C11、C12、C44来源于文献[23-24]，而InxGa1-xAs的弹性系数使用线性插值法得到。计算中使用到的材料的相关弹性系数、晶格常数以及在GaAs衬底上的错配应变如表1所示。其中错配应变εmf=（af-as）/as，af和as分别代表薄膜和衬底的晶格常数。计算过程中使用到的化学能系数为ωij=1.0×109 N/m2，梯度能系数为αij=7.2×10-5 N1/2。Cahn-Hilliard方程的动力学系数M=1.0×10-27 m5/（J·s）。计算使用了256Δx1×64Δx2个离散格点，其中Δx1=Δx2=1.0nm，同时沿着x1轴应用了周期性的边界条件。计算过程中，使用了两种平面波来描述薄膜的表面。一种假设是表面形态为静态的正弦波，薄膜厚度h（x）为: