《表1 250℃下退火时薄膜的XRD基本参数》

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《退火对铝诱导结晶锗薄膜的影响及其机理》

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通过常规退火方法分别在250℃及400℃退火温度下对样品（溅射厚度Al与Ge均为1 000nm）进行不同时长的退火，来探究退火时间对AIC过程的影响。首先在最低结晶温度250℃分别进行5h、10h、20h、50h和100h退火，退火完成后的样品利用XRD进行表征，并通过谢乐公式来计算其晶粒尺寸。由表1可以看出，随着退火时间延长，（111） 衍射峰的半峰宽不断减小，其晶粒尺寸也相应增加。