《表1 在额定峰值功率下硅基IGBT方案以及SIC MOSFET的典型功率损耗情况》

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《SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著》

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从表1可以看出，S i C M O S F E T与硅基I G B T对比，几乎所有功率损耗参数都有明显改善。当并联MOSFET时，所产生的RDS（ON）导通电阻除以MOSFET的个数，致使导通损耗接近零，因此，Si C MOSFET的导通损耗低于IGBT。相反，当并联IGBT时，所产生的VCE（SAT）电压不会线性下降，并且最小导通电压降是限制在大约0.8至1 V范围内。