《表1 CrFeHfGa合金以及Cr、Fe、Hf、Ga缺陷的晶格常数、自旋极化率和形成能》

《表1 CrFeHfGa合金以及Cr、Fe、Hf、Ga缺陷的晶格常数、自旋极化率和形成能》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
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《LiMgPbSb型四元Heusler合金CrFeHfGa原子缺陷和无序效应》


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在CrFeHfGa有序结构的基础之上,分别剔除一个Cr、Fe、Hf、Ga原子形成浓度为25%的四种原子缺陷(分别表示为VdCr、VdFe、VdHf、VdGa)。在表1中,分别列出了这些缺陷结构的晶格常数、自旋极化率和形成能。其中形成能和自旋极化率可以利用式(1)和式(2)来计算[20-21]。