《表1 CrFeHfGa合金以及Cr、Fe、Hf、Ga缺陷的晶格常数、自旋极化率和形成能》
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《LiMgPbSb型四元Heusler合金CrFeHfGa原子缺陷和无序效应》
在CrFeHfGa有序结构的基础之上,分别剔除一个Cr、Fe、Hf、Ga原子形成浓度为25%的四种原子缺陷(分别表示为VdCr、VdFe、VdHf、VdGa)。在表1中,分别列出了这些缺陷结构的晶格常数、自旋极化率和形成能。其中形成能和自旋极化率可以利用式(1)和式(2)来计算[20-21]。
图表编号 | XD0010312300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.06.25 |
作者 | 黄海深、孙剑、吴波、杨秀德、李平 |
绘制单位 | 遵义师范学院物理与电子科学学院、北京理工大学物理学院、遵义师范学院物理与电子科学学院、遵义师范学院物理与电子科学学院、西北工业大学航海学院、遵义师范学院物理与电子科学学院、西南大学洁净能源研究所、遵义师范学院物理与电子科学学院 |
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