《表1 CrFeHfGa合金以及Cr、Fe、Hf、Ga缺陷的晶格常数、自旋极化率和形成能》

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《LiMgPbSb型四元Heusler合金CrFeHfGa原子缺陷和无序效应》

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在CrFeHfGa有序结构的基础之上，分别剔除一个Cr、Fe、Hf、Ga原子形成浓度为25%的四种原子缺陷（分别表示为VdCr、VdFe、VdHf、VdGa）。在表1中，分别列出了这些缺陷结构的晶格常数、自旋极化率和形成能。其中形成能和自旋极化率可以利用式（1）和式（2）来计算[20-21]。