《表2 同一硅片上9个FBAR的S11均匀性对比》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《氧化锌薄膜体声波谐振器制作重复性和均匀性》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

本文还进一步分析对比了同一硅片的大范围内不同位置S11特性的均匀性，如图11所示，在制备好的FBAR器件（1.0μm厚ZnO）的整个3英寸硅片上均匀选取了9个FBAR进行RF测试。表2列出了这9个FBAR的谐振频率、回波损耗、品质因数（Q）及其与中心第五个点的差异和相对误差。谐振频率的数值、差异和相对误差的平均值分别为2.388、-0.001和0.256%，回波损耗的数值、差异和相对误差的平均值分别为-8.537、-2.297和39.868%，品质因数的数值、差异和相对误差的平均值分别为230、46和42.271%。品质因数是采用3 dB-Q公式来近似计算的[13]。公式的表述形式为：，f0为中心谐振频率值，B为-3 dB的带宽。此外，任一物理量n个取值的平均值的计算公式为相对误差计算公式为结果表明，这9个FBAR S11特性的误差都很小，尤其是谐振频率，平均相对误差值达到了0.256%，这表明该FBAR器件性能的均匀性是非常理想的。回波损耗值和Q值偏低可能与布拉格层的厚度有关，这是接下来需要进一步改善的地方。