《表2 电池效率随p+发射区与相邻的n+背场区单元宽度及发射区占比的变化》

《表2 电池效率随p+发射区与相邻的n+背场区单元宽度及发射区占比的变化》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
本系列图表出处文件名:随高清版一同展现
《基于Quokka优化叉指背接触太阳电池的效率》


  1. 获取 高清版本忘记账户?点击这里登录
  1. 下载图表忘记账户?点击这里登录

由空穴在IBC电池中的传输路径得知,n+背场区以上区域的少子传输路径随背场宽度延长,电学遮挡损失效应导致电池效率快速降低。该效应限制了FSF结构的IBC电池背场区宽度处于微米级[9],这对激光开窗及印刷自对准精度要求更高,需用高精度光刻机实现,从而导致电池工艺流程复杂化及高成本化。因此,本着降低成本、提高效率的原则,采用模拟手段寻找最优效率且可用激光烧蚀法实现的p+发射区占比。不同发射区占比所对应的电池效率如表2所示。