《表2 电池效率随p+发射区与相邻的n+背场区单元宽度及发射区占比的变化》
由空穴在IBC电池中的传输路径得知,n+背场区以上区域的少子传输路径随背场宽度延长,电学遮挡损失效应导致电池效率快速降低。该效应限制了FSF结构的IBC电池背场区宽度处于微米级[9],这对激光开窗及印刷自对准精度要求更高,需用高精度光刻机实现,从而导致电池工艺流程复杂化及高成本化。因此,本着降低成本、提高效率的原则,采用模拟手段寻找最优效率且可用激光烧蚀法实现的p+发射区占比。不同发射区占比所对应的电池效率如表2所示。
图表编号 | XD00101532200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.12.15 |
作者 | 胡林娜、郭永刚、屈小勇、马继奎、吴翔 |
绘制单位 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司、国家电投集团西安太阳能电力有限公司、国家电投集团西安太阳能电力有限公司、国家电投集团西安太阳能电力有限公司、国家电投集团西安太阳能电力有限公司 |
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