《表1 模拟具体输入参数:基于Quokka优化叉指背接触太阳电池的效率》
本文所用IBC电池结构由上至下依次为:氮化硅减反射膜、氧化硅钝化层、前表面场区、n型单晶硅衬底、p+发射区/n+背表面场(BSF)区、三氧化二铝钝化层/氧化硅钝化层、氮化硅减反射膜或氮化硅减反射膜+氮氧化硅膜、正电极细栅线和负电极细栅线、绝缘浆料、正电极主栅线和负电极主栅线[4],电池结构示意图如图1所示。其中硅片边长、硅片厚度、p+发射区与相邻的n+背场区单元宽度及减反射薄膜厚度等参数分别为156.75 mm、180μm、1.1 mm及60 nm。为了提高仿真运行速度,本文采用单元电池结构,详细输入参数如表1所示。
图表编号 | XD00101531900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.12.15 |
作者 | 胡林娜、郭永刚、屈小勇、马继奎、吴翔 |
绘制单位 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司、国家电投集团西安太阳能电力有限公司、国家电投集团西安太阳能电力有限公司、国家电投集团西安太阳能电力有限公司、国家电投集团西安太阳能电力有限公司 |
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