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目录1

第一章 引言3

A、概论3

B、MOS器件——栅和内部互连线级的RC延迟和速度6

C、肖特基势垒器件16

D、接触金属化和接触电阻26

第二章 性质31

A、电阻率31

B、电阻率的温度依赖性46

C、晶体结构47

D、应力51

E、化学反应能力66

第三章 热力学考虑71

A、硅化物的形成热(△Hf)71

B、二元相图和金属间化合物的形成77

C、相互固溶性和扩散系数87

D、电迁移电阻96

A、金属间化合物的形成——动力学98

第四章 形成98

B、金属间化合物的形成——杂质的影响105

C、硅化物的形成——实验技术114

第五章 氧化129

A、概述129

B、实验结果131

C、氧化机理139

D、硅化物上氧化层的介质击穿141

A、刻蚀图案146

第六章 集成电路制造146

B、金属化150

C、硅化物的工艺稳定性151

第七章 特殊应用156

A、浅硅化物接触156

B、外延硅化物164

C、富硅的二硅化物167

D、数据库光学存储168

参考文献169

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