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目录1

前言1

引言1

第一章　直拉法生长硅单晶8

第一节　单晶生长8

第二节　杂质在单晶中的分布11

第三节　设备要求14

第四节　硅合金的制备19

第五节　工艺过程22

第六节　关于参数的讨论32

第七节　提高重掺锑单晶成品率的讨论40

第八节　氩气、低真空和高真空拉单晶比较46

第二章　直拉法生长锗单晶48

第一节　概述48

第二节　双层坩埚中拉制锗单晶50

第三节　锗合金的制备54

第四节　单晶中杂质的作用及电阻率的均匀性58

第五节　单晶中的位错及减少的方法63

第三章　悬浮真空区熔法生长硅单晶69

第一节 区熔和硅的悬浮区熔69

第二节　硅的悬浮真空区熔过程76

第三节　怎样获得单晶92

第四节　如何控制单晶的质量95

第五节　对设备的要求123

第四章　物理测试131

第一节　单晶体的检验132

第二节　半导体材料导电类型的测量138

第三节　电阻率测量142

第四节　非平衡少数载流子寿命测量153

第五节　单晶体中位错的观察178

第六节　霍尔效应的简单介绍186

附录一　锗、硅的一般性质198

附录198

附录二　锗、硅的半导体性质199

附录三　锗和硅中的杂质200

附录四　硅单晶掺杂极限203

附录五　控制单晶的一些辅助材料203

附录六　某些物质的熔点和沸点204

附录七　获得低温的常用方法205

附录八 热电偶种类及使用的温度范围205

附录九　常用物理常数206

附录十　锗、硅单晶中的杂质浓度N与电阻率ρ的换算206