《半导体物理实验》求取 ⇩
作者 | 孙恒慧,包宗明主编 编者 |
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出版 | 北京:高等教育出版社 |
参考页数 | 311 ✅ 真实服务 非骗流量 ❤️ |
出版时间 | 1985(求助前请核对) 目录预览 |
ISBN号 | 13010·01169 — 违规投诉 / 求助条款 |
PDF编号 | 81633618(学习资料 勿作它用) |
求助格式 | 扫描PDF(若分多册发行,每次仅能受理1册) |
实验一 激光测定硅单晶晶轴1
实验二 硅单晶中晶体缺陷的腐蚀显示11
实验三 四探针法测电阻率24
实验四 扩展电阻探针法测量硅片微区电阻率变化及电阻率深度分布39
实验五 电容-电压法测杂质浓度分布52
实验六 二次谐波法测杂质浓度分布61
实验七 硅单晶的霍耳效应与电导率69
实验八 硅单晶杂质补偿度的测量83
实验九 光电导衰退法测量硅单晶中少数载流子的寿命97
实验十 光磁效应光电导补偿法测量少数载流子寿命108
实验十一 表面光电压法测量硅少数载流子扩散长度118
实验十二 热激电容热激电流法测量硅中深能级中心128
实测十三 瞬态电容法测量硅中深能级中心142
实验十四 用深能级瞬态谱(DLTS)法测量硅中的深能级中心154
实验十五 高频MOS电容-电压关系测量172
实验十六 MOS电容法测量硅的产生寿命和表面产生速度186
实验十七 用三角波电压扫描法检测二氧化硅层中可动离子面密度197
实验十八 扫描内光电法测量硅-二氧化硅界面可动正离子的横向分布209
实验十九 用热激电流法测量硅-二氧化硅界面态密度分布220
实验二十 用准静态技术测量硅-二氧化硅界面态密度分布233
实验二十一 硅-二氧化硅界面态密度分布的计算机数据处理249
实验二十二 超高真空下测量半导体表面吸附气体后功函数的变化265
实验二十三 用椭圆偏振仪测量半导体表面介质薄膜的厚度和折射率279
附录 索引304
物理常数表310
常见单位的名称和符号311
1985《半导体物理实验》由于是年代较久的资料都绝版了,几乎不可能购买到实物。如果大家为了学习确实需要,可向博主求助其电子版PDF文件(由孙恒慧,包宗明主编 1985 北京:高等教育出版社 出版的版本) 。对合法合规的求助,我会当即受理并将下载地址发送给你。
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