《数字CMOS VLSI分析与设计基础》求取 ⇩

第一章 MOS晶体管工作原理1

1.1 MOS晶体管的结构特点和基本原理1

1.2 MOS晶体管的阈值电压分析5

1.3 MOS晶体管的电流方程12

1.4 MOS晶体管的瞬态特性18

第二章 MOS器件按比例缩小30

2.1 按比例缩小理论30

2.2 高电场效应对按比例缩小器件性能的影响38

2.3 不能按比例缩小的参数的影响52

2.4 VLSI发展的实际限制60

第三章 CMOS IC工艺流程及电路中的寄生效应63

3.1 集成电路制作中的几个基本工艺步骤63

3.2 CMOS IC工艺流程65

3.3 CMOS IC中的寄生效应68

4.1 CMOS反相器的直流特性74

第四章 CMOS反相器和CMOS传输门74

4.2 CMOS反相器的瞬态特性79

4.3 CMOS反相器的功耗86

4.4 CMOS反相器的设计88

4.5 CMOS和NMOS电路性能比较88

4.6 CMOS传输门92

第五章 CMOS静态逻辑电路设计98

5.1 静态CMOS逻辑门的构成特点98

5.2 CMOS与非门的分析99

5.3 CMOS或非门的分析104

5.4 CMOS与非门和或非门的设计106

5.5 组合逻辑电路的设计110

5.6 类NMOS电路118

5.7 传输门逻辑电路121

5.8 差分CMOS逻辑系列128

6.1 动态逻辑电路的特点140

6.2 预充、求值的动态CMOS电路140

第六章 动态和时序逻辑电路设计140

6.3 多米诺(Domino)CMOS电路147

6.4 时钟CMOS(C2MOS)电路153

6.5 无竞争(NORA)动态CMOS电路154

6.6 CMOS触发器159

6.7 时序逻辑电路167

第七章 输入、输出缓冲器177

7.1 输入缓冲器177

7.2 输入保护电路179

7.3 输出缓冲器181

7.4 脱片输出驱动级的设计184

7.5 三态输出和双向缓冲器186

第八章 MOS存储器190

8.1 DRAM190

8.2 SRAM221

8.3 ROM和PLD234

9.1 VLSI的设计方法254

第九章 MOS IC的版图设计254

9.2 门阵列和标准单元设计方法258

9.3 版图设计266

第十章 SOICMOS简介272

10.1 SOI CMOS工艺272

10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性273

10.3 短沟薄膜SOIMOSFET的二级效应280

第十一章 BiCMOS电路289

11.1 MOS和双极型器件性能比较289

11.2 BiCMOS工艺和器件结构291

11.3 BiCMOS逻辑门的设计292

11.4 BiCMOS和CMOS电路性能的比较299

11.5 BiCMOS电路实例302

主要符号表310

主要参考文献313

附录321