最好的内存条?世界首条频率达到2133MHz的DDR4内存曝光

相比于其他配件,内存的更新换代速度可以称得上非常缓慢。从DDR到DDR2的升级用了5年之久,而DDR3到目前为止也没有完全替代DDR2,二者还会并存于一段时间。

今天我们得到最新消息,三星已经推出了DDR4内存模组!公布的样品属于UDIMM类型,容量为2GB,运行电压只有1.2V,工作频率为2133MHz,而且凭借新的电路架构最高可以达到3200MHz。相对于DDR3而言,DDR4的功耗要低40%左右。

而据资料显示,DDR4内存频率最高可达4266MHz,电压则能够降至1.1V乃至1.05V。

三星表示,这条DDR4内存使用了曾出现在高端显存颗粒上的“Pseudo Open Drain”(虚拟开漏极)技术,在读取、写入数据的时候漏电率只有DDR3内存的一半。

三星称,上月底已经向一家控制器制造商提供了这种DDR4内存条的样品进行测试,并计划与多家内存厂商密切合作,帮助JEDEC组织在今年下半年完成DDR4标准规范的制定工作,预计2012年开始投入商用。

回顾历史,三星曾于1997年、2001年、2005年三次分别率先造出第一条DDR、DDR2、DDR3内存条,如今又在DDR4上继续保持了领先地位。

在2010年里,三星率先迈入了30nm工艺制程,也是业界首次存储工艺制程超越了处理器。而此次对于DDR4三星表现也是非常“激进”,迅速推出了样品,但目前还没有支持DDR4的芯片组,所以离最终走向市场还有一段距离。

感觉:韩国在全球存储领域的龙头地位很NB啊。

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